-
1 захват отдельных электронов
neng. EinelektroneneinfangУниверсальный русско-немецкий словарь > захват отдельных электронов
-
2 захват
захват м. с.-х. Arbeitsbreite f; Befestigungsklemme f; яд. Einfang m; Erfassen n; Fassen n; Greifen n; Greifer m; Greifvorrichtung f; Greifzeug n; рад. элн. Haften n; Halteklammer f; Klemme f; Kralle f; англ. выч. Lockout n; Mitnahme f; Mitnehmer m; Mitnehmerklaue f; Mitreißen n; Mitziehen n; Pratze f; горн. Schrämtiefe f; Spurweite f -
3 одноэлектронный транзистор
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Russian-English dictionary of Nanotechnology > одноэлектронный транзистор
-
4 single-electron transistor
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Russian-English dictionary of Nanotechnology > single-electron transistor
-
5 электронный микроскоп
Электронный микроскопМикроскоп, позволяющий получать сильно увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. В отличие от оптического микроскопа, в электронном микроскопе используют потоки электронов и магнитные или электростатические линзы. Некоторые электронные микроскопы позволяют увеличивать изображение в 2 млн. раз, в то время как максимальное увеличение лучших оптических микроскопов достигает 2000 раз. Как электронные, так и оптические микроскопы имеют ограничения в разрешающей способности в зависимости от длины волн. В электронных микроскопах используются электростатические или электромагнитные линзы для формирования изображения путем управления пучком электронов и концентрации его на отдельных участках объекта подобно тому, как оптический микроскоп использует стеклянные линзы для создания изображения в заданной плоскости.Russian-English dictionary of Nanotechnology > электронный микроскоп
-
6 electron microscope
Электронный микроскопМикроскоп, позволяющий получать сильно увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. В отличие от оптического микроскопа, в электронном микроскопе используют потоки электронов и магнитные или электростатические линзы. Некоторые электронные микроскопы позволяют увеличивать изображение в 2 млн. раз, в то время как максимальное увеличение лучших оптических микроскопов достигает 2000 раз. Как электронные, так и оптические микроскопы имеют ограничения в разрешающей способности в зависимости от длины волн. В электронных микроскопах используются электростатические или электромагнитные линзы для формирования изображения путем управления пучком электронов и концентрации его на отдельных участках объекта подобно тому, как оптический микроскоп использует стеклянные линзы для создания изображения в заданной плоскости.Russian-English dictionary of Nanotechnology > electron microscope
-
7 белки
proteins; albuminsСложные органические вещества ( полипептиды), состоящие из аминокислот, соединённых пептидными ( амидными) связями; важнейшие компоненты живой клетки (см. также альбумины).
Продукт Staphylococcus aureus, способный связывать иммуноглобулин G; используется для измерения клеточных антигенов и антител. Образует комплексы с антителами, не нарушая их связывания с антигеном. В иммобилизованной форме используется в аффинной хроматографии для разделения подклассов иммуноглобулинов, а также в различных типах иммунопроб.
Ферменты, имеющиеся во всех путях биосинтеза и ряде путей катаболизма. Кроме катаболитических центров, распознающих и связывающих субстраты, у аллостерических белков есть и другие стереоспецифические участки – аллостерические центры, а именно места связывания эффекторов, изменяющих сродство фермента к субстрату. Аллостерические эффекторы представляют собой низкомолекулярные соединения, конечные продукты биосинтеза или такие вещества, как АТФ, АДФ, АМФ, ацетил-КоА, фосфоенолпируват и NADH.
Образование белков из аминокислот; осуществляется путём последовательной поликонденсации отдельных аминокислотных остатков, начиная с амино-N-конца полипептидной цени в направлении к карбоксильному C-концу.
Общий термин для белков вирусной частицы и белков, индуцированных вирусом.
Полипептиды, образуемые экспрессией гибридного гена.
Белки, характеризующиеся более сложным способом свёртывания цепи по сравнению с фибриллярными. Эти белки сохраняют свою структуру преимущественно за счёт взаимодействия гидрофобных остатков. Примеры: миоглобин, лизоцим, карбоксипептидаза A.
Белки, потерявшие свою естественную конфигурацию при воздействии дестабилизирующего агента, например тепла (см. также денатурация).
белки, дестабилизирующие спираль — helix-destabilizing proteins, HDP
Специфичные белки, связывающиеся с разделяющимися нитями двойной спирали ДНК в вилке репликации для поддержания ДНК в «расплетённом» состоянии.
Входят в состав электрон-транспортных цепей ( участвуют в переносе протонов и электронов). Они содержат негеминовое железо, с одной стороны, связанное с атомами серы остатков цистеина, а с другой – с неорганической сульфидной серой. Помимо транспорта электронов в мембранах, эти белки участвуют в фиксации молекулярного азота, в восстановлении сульфита и нитрита, в фотосинтезе, в освобождении и активации молекулярного водорода и в окислении алканов. Железосерные белки имеют небольшую молекулярную массу ( порядка 10 кДа) и сильно отрицательный окислительно-восстановительный потенциал (см. также ферредоксины).
Различают два типа железосодержащих белков: гемопротеины и белки с негемовым железом. Первый негемовый железосодержащий белок – ферредоксин был выделен из клостридий. В настоящее время известно большое семейство белков с негемовым железом.
Встроенные в мембрану внутренние белки; амфипатические молекулы, имеют центральное гидрофобное ядро, взаимодействующее с жирнокислотными цепями и гидрофильные концы, контактирующие с клеточным содержимым и с окружением. Часто эти белки имеют углеводные цепи, присоединённые к той части молекулы, которая выступает во внеклеточную среду.
Белки, которые встроены в клеточную мембрану или мембрану клеточной органеллы или ассоциированы с ней. Молекулярная масса мембранных белков обычно варьирует в пределах от 10 кДа до 240 кДа.
Белок в своем естественном, in vivo состоянии, в противоположность денатурированному.
Структурный белок, из которого состоит оболочка вируса ( фага) и клеток микроорганизмов.
белки одноклеточных — single cell protein, SCP
Продукт выращивания дрожжей, бактерий, грибов или водорослей ради их белкового содержимого; используется в продуктах питания и животном корме, поскольку содержит углеводы, жиры, витамины и минеральные вещества.
Мембранные белки, но в отличие от интегральных ( внутренних) белков они не пронизывают мембрану и связаны с ней менее прочно.
Расщепление сигнальной последовательности, регулирующей прохождение белка через мембрану клетки или органеллы.
Белки, состоящие только из аминокислот.
Белки, осуществляющие гидролиз других белков. Продукты жизнедеятельности бактерий (например, Bacillus subtilis) и грибов. Используются в качестве добавки к моющим средствам, в кожевенной промышленности при дублении кожи, в научно-исследовательской практике.
Белки-посредники, обеспечивающие для эффекторов взаимодействие с ДНК (см. также репрессор и апорепрессор).
Процесс, обратный денатурации, при котором белки возвращают свою нативную ( биологически активную) пространственную структуру (см. также ренатурация).
Белки, входящие в состав рибосомы. Рибосомные белки характеризуются глобулярной компактной конформацией с развитой вторичной и третичной структурой; они занимают преимущественно периферическое положение в ядре, состоящем из рибосомной РНК (см. также рибосомный).
Растворимые белки, которые специфически и обратимо связывают различные вещества, включая сахара, аминокислоты, неорганические ионы и витамины.
Аналитический метод, используемый для определения последовательности аминокислот, составляющих пептид или белок (см. также секвенирование).
Химический метод синтеза пептидных связей (предложен в 1960 г. Мерифильдом, США). Этот метод получил название твёрдофазного синтеза пептидов. Метод Мерифильда прост в техническом оформлении, что позволяет полностью автоматизировать процесс.
сложные белки — conjugated proteins, proteids
Белки, содержащие помимо аминокислот небелковые компоненты, а именно ионы металла или органические молекулы – липиды, углеводы или нуклеиновые кислоты.
Белки, функционирующие как структурные компоненты клетки.
Гистоны - структурные белки эукариотических хромосом; относительно небольшие белки с очень большой долей положительно заряженных аминокислот ( лизина и аргинина); положительный заряд помогает гистонам прочно связываться с ДНК ( которая заряжена сильно отрицательно) независимо от её нуклеотидной последовательности (см. также хромосомный).
-
8 неустойчивость
ж.- аксиальная неустойчивость
- акустическая неустойчивость
- акустоэлектрическая неустойчивость
- анизотропная неустойчивость
- апериодическая неустойчивость Пирса
- апериодическая неустойчивость пучка
- апериодическая неустойчивость
- асимметричная неустойчивость
- баллонная неустойчивость
- бароклинная неустойчивость
- безынерционная гравитационная неустойчивость
- безынерционная неустойчивость
- бесстолкновительная дрейфовая неустойчивость
- бесстолкновительная неустойчивость
- бесстолкновительная неустойчивость, возбуждаемая электронами
- бетатронная неустойчивость
- бунемановская неустойчивость
- быстрая градиентная неустойчивость
- быстрая неустойчивость
- вакансионно-деформационная неустойчивость
- веерная неустойчивость
- вековая неустойчивость
- взрывная неустойчивость
- вибрационная неустойчивость
- винтовая неустойчивость в плазме с конечной проводимостью
- винтовая неустойчивость
- внутренняя диссипативная неустойчивость
- внутренняя релаксационная неустойчивость
- высокочастотная неустойчивость
- вязкостная неустойчивость
- газодинамическая неустойчивость
- ганновская неустойчивость
- гибридная неустойчивость
- гидродинамическая винтовая неустойчивость
- гидродинамическая неустойчивость двух встречных пучков
- гидродинамическая неустойчивость пучка в магнитоактивной плазме
- гидродинамическая неустойчивость
- гидродинамическая пучковая неустойчивость
- гидромагнитная неустойчивость
- гиротронная неустойчивость
- глобальная неустойчивость
- гофрировочная неустойчивость ударной волны
- гофрировочная неустойчивость
- гравитационная неустойчивость
- гравитационно-диссипативная неустойчивость
- гравитационно-кинетическая неустойчивость
- градиентная неустойчивость
- градиентно-токовая неустойчивость
- двухпотоковая неустойчивость
- двухпотоковая осциллирующая неустойчивость
- двухпучковая неустойчивость
- двухслойная бароклинная неустойчивость
- джинсовская неустойчивость
- динамическая неустойчивость
- диокотронная неустойчивость
- дипольная неустойчивость
- дислокационно-деформационная неустойчивость
- дисперсионная неустойчивость
- диссипативная винтовая неустойчивость
- диссипативная гидромагнитная неустойчивость
- диссипативная неустойчивость из-за конечной электронной теплопроводности
- диссипативная неустойчивость
- диффузионная неустойчивость
- диффузионно-деформационная неустойчивость
- длинноволновая неустойчивость
- докритическая неустойчивость
- доменная неустойчивость
- дрейфовая неустойчивость
- дрейфовая циклотронная неустойчивость
- дрейфово-диссипативная неустойчивость
- естественная неустойчивость
- желобковая неустойчивость
- зеркальная неустойчивость
- идеальная неустойчивость
- изгибная неустойчивость
- излучательная пучковая неустойчивость
- инерционная неустойчивость
- инерционная токово-конвективная неустойчивость
- инерционно-диссипативная неустойчивость
- интерференционная неустойчивость
- ионизационная неустойчивость
- ионизационно-перегревная неустойчивость
- ионизационно-полевая неустойчивость
- ионно-волновая неустойчивость
- ионно-звуковая неустойчивость в полностью ионизованной плазме
- ионно-звуковая неустойчивость в электрическом поле
- ионно-звуковая неустойчивость слабо ионизованной плазмы в электрическом поле
- ионно-звуковая неустойчивость
- ионно-циклотронная неустойчивость
- испарительно-капиллярная неустойчивость
- капиллярно-ветровая неустойчивость
- квадрупольная неустойчивость
- кинетическая неустойчивость пучка в магнитоактивной плазме
- кинетическая неустойчивость
- кинетическая пучковая неустойчивость
- когерентная неустойчивость
- колебательная неустойчивость Пирса
- колебательная неустойчивость пучка
- колебательная неустойчивость
- колебательная электростатическая неустойчивость
- коллективная неустойчивость
- конвективная неустойчивость неподвижной жидкости
- конвективная неустойчивость
- конвективная параметрическая неустойчивость
- конусная неустойчивость
- конусно-диссипативная неустойчивость
- концентрационно-деформационно-тепловая неустойчивость
- коротковолновая неустойчивость
- кристаллизационно-деформационно-тепловая неустойчивость
- крупномасштабная неустойчивость
- лазерно-индуцированная неустойчивость
- локальная конвективная неустойчивость
- локальная неустойчивость
- магнитогидродинамическая неустойчивость
- магнитогидродинамическая неэлектростатическая неустойчивость
- магнитозвуковая неустойчивость
- мазерная неустойчивость
- МГД неустойчивость
- медленная градиентная неустойчивость
- мелкомасштабная неустойчивость
- микроволновая неустойчивость
- модифицированная неустойчивость отрицательной массы
- модуляционная неустойчивость
- мультипольная неустойчивость
- неджинсовская неустойчивость
- неинерционная неустойчивость
- нелинейная неустойчивость
- нелинейная тепловая неустойчивость
- непотенциальная неустойчивость
- нерезонансная неустойчивость анизотропной плазмы
- нерезонансная распадная неустойчивость
- неустойчивость альвеновской волны
- неустойчивость анизотропной плазмы гидродинамического типа
- неустойчивость анизотропной плазмы кинетического типа
- неустойчивость анизотропной плазмы
- неустойчивость баллонных мод
- неустойчивость Бенара
- неустойчивость Бенжамина - Фейера
- неустойчивость Брушлинского - Морозова
- неустойчивость Будкера - Бунемана
- неустойчивость Бунемана - Будкера
- неустойчивость Бунемана с учётом граничных условий
- неустойчивость Бунемана
- неустойчивость Бурсиана
- неустойчивость в искривлённом магнитном поле
- неустойчивость Ван-дер-Поля
- неустойчивость Власова
- неустойчивость внутреннего срыва
- неустойчивость Гельмгольца
- неустойчивость Голдрайха - Шуберта - Фрикке
- неустойчивость гравитирующей среды
- неустойчивость Джинса
- неустойчивость Драммонда - Розенблюта
- неустойчивость желобкового типа
- неустойчивость запертых частиц
- неустойчивость ионосферной плазмы
- неустойчивость Кадомцева - Недоспасова
- неустойчивость Кадомцева - Погуце
- неустойчивость квазинейтрального ионного пучка
- неустойчивость квазинейтрального электронного пучка
- неустойчивость Кельвина - Гельмгольца
- неустойчивость Крускала - Шварцшильда
- неустойчивость ленгмюровского конденсата
- неустойчивость ленгмюровской волны
- неустойчивость мод
- неустойчивость модифицированного распада
- неустойчивость на запертых ионах
- неустойчивость на запертых частицах
- неустойчивость на запертых частицах, обусловленная конечностью орбит
- неустойчивость на запертых электронах
- неустойчивость на стадии подъёма тока
- неустойчивость неджинсовского типа
- неустойчивость неоднородной плазмы
- неустойчивость нижнегибридных колебаний
- неустойчивость однородной плазмы
- неустойчивость опрокидывания
- неустойчивость отрицательной массы
- неустойчивость охлаждения
- неустойчивость пинча
- неустойчивость Пирса с учётом подвижности ионов
- неустойчивость плазмы конечного давления
- неустойчивость плазмы с пучками
- неустойчивость плазмы
- неустойчивость по отношению к образованию отдельных нитей
- неустойчивость поверхностных состояний
- неустойчивость пограничного слоя при отсутствии трения
- неустойчивость пограничного слоя при трении
- неустойчивость пучка с неоднородным профилем скоростей
- неустойчивость релятивистского электронного пучка
- неустойчивость Рэлея - Тейлора
- неустойчивость Сайдема
- неустойчивость самофокусировочного типа
- неустойчивость свистящих атмосфериков
- неустойчивость срыва
- неустойчивость стационарного движения при больших числах Рейнольдса
- неустойчивость структуры
- неустойчивость тангенциальных разрывов
- неустойчивость Тейлора
- неустойчивость течения
- неустойчивость типа изгиба
- неустойчивость типа перегиба
- неустойчивость тиринг-моды
- неустойчивость тлеющего разряда
- неустойчивость токовых струй
- неустойчивость трещины
- неустойчивость убегающих электронов
- неустойчивость Фарли - Бунемана
- неустойчивость Харриса
- неустойчивость, обусловленная градиентом плотности
- неустойчивость, обусловленная градиентом температуры
- неустойчивость, обусловленная относительным движением электронов и ионов
- неустойчивость, обусловленная пространственным зарядом
- неустойчивость, связанная с магнитным дрейфом
- неэлектростатическая неустойчивость
- низкочастотная неустойчивость
- объёмная неустойчивость
- обыкновенная неустойчивость
- одномодовая неустойчивость
- однопучковая неустойчивость
- осциллирующая двухпотоковая неустойчивость
- относительная неустойчивость
- пайерлсовская неустойчивость
- параметрическая неустойчивость
- перестановочная неустойчивость
- пи-мезонная неустойчивость
- плазменная неустойчивость
- плазменно-пучковая неустойчивость
- пластическая неустойчивость
- поперечная диффузионная неустойчивость
- поперечная неустойчивость
- пороговая неустойчивость
- потенциальная неустойчивость
- потоковая неустойчивость
- приливная неустойчивость
- прилипательная неустойчивость
- примесная неустойчивость
- продольная неустойчивость
- пульсационная неустойчивость
- пучковая неустойчивость в неоднородной плазме
- пучковая неустойчивость
- пучково-дрейфовая неустойчивость
- пучково-плазменная неустойчивость
- радиальная неустойчивость
- радиационная неустойчивость
- разрывная неустойчивость
- распадная неустойчивость волн
- распадная неустойчивость
- распадная параметрическая неустойчивость волн
- резистивная неустойчивость
- резонансная неустойчивость Бунемана
- резонансная неустойчивость
- резонансная распадная неустойчивость
- рекомбинационно-деформационная неустойчивость
- ротационная неустойчивость
- рэлей-тейлоровская неустойчивость
- самофокусировочная неустойчивость
- сателлитная неустойчивость
- сдвиговая неустойчивость
- секулярная неустойчивость
- синхротронная неустойчивость
- сносовая неустойчивость
- собственная неустойчивость
- статическая неустойчивость
- стеночная неустойчивость
- степенная неустойчивость
- стохастическая неустойчивость
- стрикционная неустойчивость
- стрикционная параметрическая неустойчивость
- структурная неустойчивость
- температурная неустойчивость
- температурно-градиентная неустойчивость
- температурно-дрейфовая неустойчивость
- тепловая неустойчивость
- тепловая параметрическая неустойчивость
- термическая неустойчивость
- термодинамическая неустойчивость
- термокапиллярная неустойчивость
- термомагнитная неустойчивость
- термоупругая неустойчивость контакта
- термохимическая неустойчивость
- термоэлектрическая неустойчивость
- термоядерная неустойчивость
- токовая неустойчивость
- токово-конвективная неустойчивость
- топологическая неустойчивость
- тормозная неустойчивость
- тьюринговская неустойчивость
- универсальная неустойчивость
- фазовая неустойчивость
- филаментационная неустойчивость
- флаттерная неустойчивость
- фононная неустойчивость
- центробежная неустойчивость
- циклотронная неустойчивость
- шланговая неустойчивость
- экспоненциальная неустойчивость
- электрическая неустойчивость
- электродинамическая неустойчивость
- электромагнитная анизотропная неустойчивость
- электромагнитная неустойчивость
- электрон-ионная неустойчивость замагниченного релятивистского пучка
- электрон-ионная неустойчивость
- электростатическая дрейфовая неустойчивость
- электростатическая неустойчивость
- эруптивная неустойчивость -
9 электронно-лучевая литография
(EBL)Электронно-лучевая литографияМетод изготовления субмикронных и наноразмерных деталей путем облучения электрочувствительных поверхностей электронным лучом. Существуют две основные возможности использования электронных пучков для облучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование ( проекционный способ) всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка. Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем информации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов. Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты искривления и расширения пучка и определяет положение пластины. Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.Общая схема сканирующей системы для электронно-лучевой литографииRussian-English dictionary of Nanotechnology > электронно-лучевая литография
-
10 electron beam lithography
(EBL)Электронно-лучевая литографияМетод изготовления субмикронных и наноразмерных деталей путем облучения электрочувствительных поверхностей электронным лучом. Существуют две основные возможности использования электронных пучков для облучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование ( проекционный способ) всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка. Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем информации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов. Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты искривления и расширения пучка и определяет положение пластины. Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.Общая схема сканирующей системы для электронно-лучевой литографииRussian-English dictionary of Nanotechnology > electron beam lithography
-
11 детектирование
с.detection; detecting action, demodulation- аналоговое детектирование
- анодное детектирование
- высокоселективное детектирование
- гетеродинное детектирование
- гомодинное детектирование
- детектирование адсорбированных молекул
- детектирование альфа-частиц
- детектирование атомов в буферном газе
- детектирование атомов в вакууме
- детектирование атомов на поверхности
- детектирование атомов
- детектирование бета-частиц
- детектирование быстрых нейтронов
- детектирование возбуждённых атомов
- детектирование возбуждённых молекул
- детектирование гамма-излучения
- детектирование гравитационных волн
- детектирование движения
- детектирование единичных атомов
- детектирование единичных молекул
- детектирование заряженных частиц
- детектирование излучений
- детектирование ионов
- детектирование К-мезонов
- детектирование космического излучения
- детектирование метастабильных ионов
- детектирование молекул в буферном газе
- детектирование молекул в ионизационной камере
- детектирование молекул на поверхности
- детектирование молекул
- детектирование мю-мезонов
- детектирование нейтрино
- детектирование нейтронов
- детектирование нескольких атомов
- детектирование нескольких ионов
- детектирование огибающей
- детектирование одиночных атомов
- детектирование одиночных молекул
- детектирование одного или нескольких выбранных ионов
- детектирование осколков деления
- детектирование отдельных атомов
- детектирование отдельных молекул
- детектирование пи-мезонов
- детектирование позитронов
- детектирование положительных ионов
- детектирование протонов
- детектирование редких изотопов
- детектирование рентгеновского излучения
- детектирование света
- детектирование сигнала
- детектирование случайных сигналов
- детектирование химических элементов
- детектирование ЦМД
- детектирование электронов
- диодное детектирование
- дискретное детектирование
- ионизационное детектирование
- катодное детектирование
- квадратичное детектирование
- когерентное детектирование
- лазерное детектирование редких изотопов
- лазерное детектирование
- лазерное селективное детектирование
- линейное детектирование
- многоканальное детектирование
- нелинейное детектирование
- оптимальное детектирование
- оптическое детектирование
- прямое детектирование
- селективное детектирование атомов
- селективное детектирование молекул
- сеточное детектирование
- синхронное детектирование
- фазовое детектирование
- фотоионизационное детектирование
- частотное детектирование -
12 культура
Клетки определённого вида ( или видов) микроорганизмов, выращенные in vitro в питательной среде (см. также монокультура).
Микробная культура, содержащая только один вид организма.
бескислородная культура — anoxic culture, anaerobic culture
Культура организма с анаэробным дыханием (то есть использующая неорганический материал, а не молекулярный кислород, в качестве конечного акцептора электронов).
Микроорганизмы, выращенные при периодическом встряхивании, качании.
Выращивание in vitro отдельных клеток или групп клеток, не организованных в ткань.
Коллекция аутентичных чистых культур микроорганизмов и культур клеточных линий.
Препарат микроорганизмов, полученный замораживанием-высушиванием и помещённый под вакуумом в стеклянную ампулу, которая затем запаивается и хранится при +4°C.
Один слой клеток, растущих на поверхности.
Метод поддержания культуры микроорганизмов. Клетки высеваются на агаре, находящемся в закрытых пробирках или бутылях. До застывания агара ёмкости выдерживаются в наклонном положении.
Метод подбора условий культивирования данного микроорганизма, при которых он преодолевает конкуренцию остальных микроорганизмов.
Культура, используемая для селекции специфических штаммов из смеси.
Микробная культура, в которой клетки проходят все стадии развития одновременно.
Культура, содержащая различные виды микроорганизмов.
Скопление микробных клеток одного вида, выращенных на питательной среде (см. также клон).
Русско-английский словарь терминов по микробиологии > культура
-
13 Лондоновские силы
Лондоновские силыСилы взаимодействия между двумя атомами, возникающие в результате электромагнитного взаимодействия мгновенных диполей, образуемых движением электронов в атомах. Этот тип взаимодействия является универсальным и характерен для атомов любых веществ. Поскольку основной вклад в такое взаимодействие вносят внешние, валентные электроны, ответственные за дисперсию света в веществе, лондоновские силы иногда называют дисперсионными. Однако, как правило, в литературе под дисперсионными силами подразумевают силы взаимодействия не между отдельными атомами, а между телами, разделенными вакуумным зазором или прослойкой конденсированного вещества. Лондоновские силы являются одной из 3-х составляющих сил Ван-дер- Ваальса, также включающих ориентационные и индукционные силы. Силы притяжения, обусловленные взаимодействием между диполем флуктуационной природы одной молекулы и наведенным им дипольным моментом другой молекулы. Среди других типов взаимодействий Ван-дер-Ваальса являются наиболее универсальными и составляют во многих случаях более половины всей энергии притяжения. Важной особенностью дисперсионных сил является их аддитивность. Для двух объемов конденсированной фазы, разделенных зазором, имеет место суммирование притяжения отдельных молекул. На больших расстояниях взаимодействие молекул конденсированных фаз и тем самым образуемых ими частиц практически полностью обусловлены дисперсионными взаимодействиями. Этот случай особенно существенен при взаимодействии частиц через тонкие прослойки дисперсионной среды.Russian-English dictionary of Nanotechnology > Лондоновские силы
-
14 London Dispersion Forces
Лондоновские силыСилы взаимодействия между двумя атомами, возникающие в результате электромагнитного взаимодействия мгновенных диполей, образуемых движением электронов в атомах. Этот тип взаимодействия является универсальным и характерен для атомов любых веществ. Поскольку основной вклад в такое взаимодействие вносят внешние, валентные электроны, ответственные за дисперсию света в веществе, лондоновские силы иногда называют дисперсионными. Однако, как правило, в литературе под дисперсионными силами подразумевают силы взаимодействия не между отдельными атомами, а между телами, разделенными вакуумным зазором или прослойкой конденсированного вещества. Лондоновские силы являются одной из 3-х составляющих сил Ван-дер- Ваальса, также включающих ориентационные и индукционные силы. Силы притяжения, обусловленные взаимодействием между диполем флуктуационной природы одной молекулы и наведенным им дипольным моментом другой молекулы. Среди других типов взаимодействий Ван-дер-Ваальса являются наиболее универсальными и составляют во многих случаях более половины всей энергии притяжения. Важной особенностью дисперсионных сил является их аддитивность. Для двух объемов конденсированной фазы, разделенных зазором, имеет место суммирование притяжения отдельных молекул. На больших расстояниях взаимодействие молекул конденсированных фаз и тем самым образуемых ими частиц практически полностью обусловлены дисперсионными взаимодействиями. Этот случай особенно существенен при взаимодействии частиц через тонкие прослойки дисперсионной среды.Russian-English dictionary of Nanotechnology > London Dispersion Forces
-
15 электрическая дуга в вакууме
электрическая дуга в вакууме
-Физические основы существования дуги в вакууме.
Условия существования и гашения дуги в вакууме имеют свои особенности. При расхождении контактов в вакуумной дугогасительной камере (ВДК) в последний момент между ними образуется жидкометаллический мостик, который затем разрушается. Происходит ионизация паров металла контактного мостика под воздействием приложенного напряжения сети, приводящая к образованию дуги. Таким образом, дуга в вакууме существует из-за ионизации паров контактного материала вначале за счет материала контактного мостика, а затем в результате испарения материала электродов под воздействием энергии дуги. Поэтому, если поступление паров контактного материала будет недостаточно, вакуумная дуга должна погаснуть. При подходе тока к нулю тепловая энергия, выделяющаяся в дуге, тоже уменьшается, количество паров металла соответственно снижается, и дуга должна погаснуть на первом переходе тока через нуль. Время горения дуги в ВДК не превышает 10 мс. Кроме того, для вакуумной дуги характерна очень высокая скорость деионизации столба дуги (диффузная деионизация носителей тока электронов и ионов), обеспечивающая быстрое восстановление электрической прочности после погасания дуги.
В вакууме электрическая дуга существует либо в рассеянном, «диффузном», виде при токах до 5000—7000 А, либо в концентрированном, «сжатом», виде при больших значениях тока. Граничный ток перехода дуги из одного состояния в другое зависит в значительной степени от материала, геометрической формы и размеров контактов, а также от скорости изменения тока. «Диффузная» дуга в вакууме существует в виде нескольких параллельных дуг одновременно, через каждую из которых может протекать ток от нескольких десятков до нескольких сотен ампер. При этом катодные пятна, отталкиваясь друг от друга, стремятся охватить всю контактную поверхность. При небольших токах и значительной площади контактов силы электромагнитного взаимодействия этих проводников с током (токи одного направления притягиваются) не могут преодолеть сил отталкивания катодных пятен друг от друга. Так как через каждое катодное пятно протекают небольшие токи, это приводит к небольшим размерам опорных пятен дуги на катоде.
По мере увеличения тока силы электромагнитного притяжения преодолевают силы отталкивания и происходит слияние отдельных дуг в один канал, что приводит к резкому увеличению размеров катодного опорного пятна. Вследствие этого появляются значительные трудности гашения дуги либо происходит полный отказ камеры. Поэтому задачи, стоящие при разработке ВДК, заключаются в создании условий, при которых дуга существовала бы в диффузном виде либо время воздействия «сжатой» дуги на электроды было бы минимальным. Это достигается созданием радиальных магнитных полей, обеспечивающих перемещение опорных точек дуги с высокой скоростью по электродам.
[http://www.energocon.com/pages/id1201.html]Тематики
- высоковольтный аппарат, оборудование...
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > электрическая дуга в вакууме
См. также в других словарях:
МУ 2.6.1.2117-06: Гигиенические требования к размещению и эксплуатации ускорителей электронов с энергией до 100 МэВ — Терминология МУ 2.6.1.2117 06: Гигиенические требования к размещению и эксплуатации ускорителей электронов с энергией до 100 МэВ: Запретный период минимальное время между окончанием облучения и разрешением на вход в рабочую камеру, необходимое… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Магнетизм — Классическая электродинамика … Википедия
Квантовая химия — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей. Квантовая химия это направл … Википедия
Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг … Википедия
Обменное взаимодействие — специфическое взаимное влияние одинаковых, тождественных, частиц, эффективно проявляющееся как результат некоторого особого взаимодействия. О. в. чисто квантовомеханический эффект, не имеющий аналога в классической физике (см. Квантовая… … Большая советская энциклопедия
Атом — (от греч. atomos неделимый) частица вещества микроскопических размеров и очень малой массы (микрочастица), наименьшая часть химического элемента, являющаяся носителем его свойств. Каждому элементу соответствует определённый род А.,… … Большая советская энциклопедия
Квантовая механика — волновая механика, теория устанавливающая способ описания и законы движения микрочастиц (элементарных частиц, атомов, молекул, атомных ядер) и их систем (например, кристаллов) а также связь величин, характеризующих частицы и системы, с… … Большая советская энциклопедия
КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ — квантовохим. теория, в к рой низшие по энергии состояния молекулы описываются как состояния одного атома (иона), находящегося в электростатич. поле, созданном остальными частицами. Как правило, К. п. т. применяется к координац. соед., кристаллам… … Химическая энциклопедия
Атомные спектры — Спектры оптические, получающиеся при испускании или поглащении света (электромагнитных волн) свободными или слабо связанными атомами; такими спектрами обладают, в частности, одноатомные газы и пары. А. с. являются линейчатыми они состоят… … Большая советская энциклопедия
АТОМ — (от греч. atomos неделимый), наименьшая частица хим. элемента, носитель его св в. Каждому хим. элементу соответствует совокупность определенных А. Связываясь друг с другом, А. одного или разных элементов образуют более сложные частицы, напр.… … Химическая энциклопедия
Обменное взаимодействие — Обменное взаимодействие взаимодействие тождественных частиц в квантовой механике, приводящее к зависимости значения энергии системы частиц от её полного спина. Представляет собой чисто квантовый эффект, исчезающий при предельном переходе к… … Википедия